Основы технологии кремниевых ИС: Окисление, диффузия,...

Основы технологии кремниевых ИС: Окисление, диффузия, эпитаксия

Бургер Р., Донован Р. (ред.)
Bạn thích cuốn sách này tới mức nào?
Chất lượng của file scan thế nào?
Xin download sách để đánh giá chất lượng sách
Chất lượng của file tải xuống thế nào?
Книга посвящена процессам окисления, диффузии и эпитаксии кремния. По существу изложенный материал охватывает основные процессы планарной технологии - наиболее универсальной современной технологии, позволяющей производить любые полупроводниковые приборы от простейшего диода до сложнейших интегральных субсистем. Использованы малоизвестные или не публиковавшиеся ранее данные и сведения из отчетов фирм и докладов на конференциях. Приведено большое количество графиков и поясняющих схем.
Năm:
1969
Nhà xuát bản:
Мир
Ngôn ngữ:
russian
Trang:
227
File:
DJVU, 4.96 MB
IPFS:
CID , CID Blake2b
russian, 1969
Đọc online
Hoàn thành chuyển đổi thành trong
Chuyển đổi thành không thành công

Từ khóa thường sử dụng nhất